NTD4959N-1G
onsemi
Deutsch
Artikelnummer: | NTD4959N-1G |
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Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 9A/58A IPAK |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | I-PAK |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 30A, 10V |
Verlustleistung (max) | 1.3W (Ta), 52W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1456 pF @ 12 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 11.5 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 11.5V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 9A (Ta), 58A (Tc) |
Grundproduktnummer | NTD49 |
NTD4959N-1G Einzelheiten PDF [English] | NTD4959N-1G PDF - EN.pdf |
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2024/05/9
2024/06/14
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2024/04/10
NTD4959N-1Gonsemi |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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